尼康光刻机研究院和GCA光刻机研究院采用ArF 193nm光源，研发一年多，毫无进展。
业界普遍认为193nm光刻无法延伸到65nm制程工艺，而157nm将成为主流光源技术，但157nm光刻技术同样遭遇到了来自光刻机透镜的巨大挑战。
业界对下一代光刻机的发展提出了两种路线，一是以尼康和佳能等日本光刻机半导体企业，主张开发波长更低的157nm的F2准分子激光做为光源；二是GCA和英特尔发起建立了EUV LLC联盟，采用极紫外光源(EUV)来提供波长更短的光源。
EUV LLC联盟中除了GCA、英特尔和牵头的美国能源部以外，还有摩托罗拉、AMD、IBM，以及能源部下属三大国家实验室：劳伦斯利弗莫尔国家实验室、桑迪亚国家实验室和劳伦斯伯克利实验室。
GCA光刻机半导体研究院院长兼任光刻机光源研究所所长汤普森院士从1993年7月开始研发EUV，GCA前后投资了1.5亿美元，也没有取得成功，1997年7月自动放弃了研究。
1997年10月，汤普森院士出面邀请英特尔和美国能源部共同开发EUV。
前世，英特尔邀请尼康和ASML加入EUV LLC联盟，但美国政府反对尼康加入，ASML做出多重承诺后才得到这个千载难遇的机会，资金到位，技术入场，人才云集，EUV LLC联盟也花了近20年的时间，第一台可量产的ASML EUV样机才正式发布。
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